常規(guī)規(guī)格|支持定制
板料 mm (可以按需選擇厚度與長寬,支持定制) | ||||||||||||
厚度 L | 3 | 5 | 8 | 10 | 12 | 15 | 18 | 20 | 22 | 25 | 28 | 更多(支持定制) |
長*寬 W*H | 100*100 | 90*140 | 95*145 | 150*150 | 160*160 | 122*290 | 110*275 | ? | ? | ? | ? | 更多(支持定制) |
棒料 mm (可以按需選擇厚度與長寬,支持定制) | ||||||||||||
直徑? | 0.5 | 0.8 | 0.9 | 1 | 1.5 | 2 | 2.5 | 3 | 3.5 | 4 | 4.5 | 更多(支持定制) |
長度W | 60 | 100 | 120 | 200 | ? | ? | ? | ? | ? | ? | ? | 更多(支持定制) |
特點
氮化鋁(Aluminum Nitride, AlN)是一種先進的陶瓷材料,因其出色的導熱性和電絕緣性而在高科技領(lǐng)域中非常重要。氮化鋁同時具有高機械強度和穩(wěn)定的化學性質(zhì),使其成為電子和工業(yè)應用的理想選擇。
1. 優(yōu)異的導熱性與電絕緣性
氮化鋁結(jié)合了非常高的導熱性和良好的電絕緣性,這使得它在需要高效散熱同時要求電氣隔離的應用中非常有價值。
- 高效散熱解決方案:氮化鋁的高導熱性使其成為高性能電子設(shè)備的理想散熱材料,如功率半導體、高密度集成電路和高頻電子組件。這些應用通常需要材料能夠快速有效地導出熱量,以防止由于過熱導致的性能下降或損壞。
- 電氣應用:在保持高導熱性的同時,氮化鋁還具備出色的電絕緣性。這一點對于如電力轉(zhuǎn)換設(shè)備和高壓電氣應用中的絕緣部件尤其重要,它們需要材料在不導電的情況下有效傳導熱量。
2. 與硅匹配的熱膨脹系數(shù)和優(yōu)良的等離子體抗性
氮化鋁的熱膨脹系數(shù)與硅非常接近,這一特性以及它的等離子體抗性,使其在半導體制造中尤為重要。
- 半導體制造:由于氮化鋁的熱膨脹系數(shù)與硅相匹配,當用作半導體設(shè)備中的基板或熱界面材料時,可以最大程度減少由于溫度變化引起的熱應力。這對提高半導體器件的可靠性和性能至關(guān)重要。
- 耐等離子體性:在半導體加工過程中,部件經(jīng)常需要承受嚴苛的等離子體環(huán)境,這可能會腐蝕或損壞一些較弱的材料。氮化鋁的優(yōu)良等離子體抗性使其能夠在這些條件下保持性能和結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性。
氮化鋁的這些特點使其在現(xiàn)代高科技領(lǐng)域尤為重要,尤其是在高性能電子設(shè)備和半導體制造領(lǐng)域。它的優(yōu)異物理性質(zhì)不僅提升了設(shè)備的性能,還延長了產(chǎn)品的使用壽命,從而在各種高要求的工業(yè)應用中提供了可靠的材料解決方案。
主要特性
項目 | 單位 | 氮化鋁 |
材料 | \ | ALN |
顏色 | \ | 灰白色 |
密度 | g/cm3 | 3.3 |
機械特性
項目 | 單位 | 氮化鋁 |
抗彎強度(20℃) | Mpa | 470 |
抗壓強度(20℃) | Mpa | 2100 |
彈性模量(20℃) | Gpa | 320 |
斷裂韌性(20℃) | MPam? | 2.6 |
維泊爾系數(shù)(20℃) | \ | |
硬度(20℃) | HRA | 87 |
維氏硬度(HV1) | Gpa(kg/mm2) | 1122 |
洛氏硬度(45N) | R45N | 78.5 |
熱學特性
項目 | 單位 | 氮化鋁 |
熱膨脹系數(shù) | 10-6K-1 | 4.6 |
導熱系數(shù)(20℃) | W/mk | 170 |
熱震穩(wěn)定性 | △T.℃ | 400 |
比熱容 | J/g·k | 0.72 |
最高使用溫度(有氧) | ℃ | 1000 |
電氣特性
項目 | 單位 | 氮化鋁 |
20℃體積電阻 | Ωcm | 2.75*1014 |
介電強度(絕緣強度) | KV/mm | 17 |
1MHZ 介電常數(shù) 室溫 | \ | 8.38 |
兆赫介質(zhì)損耗角(1MHz 20℃) | tanδ | 3*10-3 |
*數(shù)值為典型材料特性,實際數(shù)值可能因產(chǎn)品配置和制造工藝的不同而有所變化。
*欲獲取更多詳情,請隨時聯(lián)系我們的公司。
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